S9012 G(112-166)

S9012 G(112-166)

  • 厂商:

    JIANGSU(长晶)

  • 封装:

    TO92-3

  • 描述:

    PNP Ic=-500mA Vceo=-25V hfe=112~166 fT=150MHz P=625mW

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  • 价格&库存
S9012 G(112-166) 数据手册
            !" #$# %&  TRANSISTOR (PNP)  '   $( "("#) $ %&* z +"" ,' "#) z 1. EMITTER 2. BASE 3. COLLECTOR Equivalent Circuit -= %& = XXX 6 'HYLFHFRGH  )'  +,' -,   . -/   "/2, ' . - 01 ("234/ 555     '- # !(5"# :9" :9 -",$3 : ;!)  6 72 %XON 1000pcs/Bag 67$  72 Tape 2000pcs/Box -.--  /01 !" $,"#2" $"34 6 7 Collector-Base Voltage -40 V 6  Collector-Emitter Voltage -25 V 6 7 Emitter-Base Voltage -5 V  Collector Current -Continuous -0.5 A  Collector Power Dissipation 625 mW  Thermal Resistance I rom Junction Wo Ambient  200  1 Junction Temperature  /W  ș  8 9 #(""#  )(5$ 6!" -55 a St orage Temperature     www.cj-elec.com 1 ),$XJ,201       Ta =25  unless otherwise specified " - ) -+  #(""# )(5$ $3$ $"$#5" 5#":3$2 A$9" V(BR)CBO IC= -100A, IE=0 -40 V $"$#"("# 5#":3$2 A$9" V(BR)CEO IC= -1mA,IB=0 -25 V ("#5" 5#":3$2 A$9" V(BR)EBO IE=-100A, IC=0 -5 V $"$# !$BB !##" ICBO VCB=-40V, IE=0 -0.1 ȝA $"$# !$BB !##" ICEO VCE=-20V, IB=0 -0.1 ȝA ("# !$BB !##" IEBO VEB= -5V, IC=0 -0.1 ȝA  !##" 9 hFE VCE=-V,IC=-mA 64 400  $"$#"("# !#$ A$9" VCE(sat) IC=-500mA, IB= -50mA -0.6 V 7""("# !#$ A$9" VBE(sat) IC=-500mA, IB= -50mA -1.2 V fT #$ B#"D!") VCE=-6V, IC= -20mA 150 f=30MHz MHz '  ' ,' : D E F G H I 9" 64-91 78-112 96-135 112-166 144-202 190-300 www.cj-elec.com J 300-400 )$XJ Typical Characteristics IC -4.5 —— VCE -4.0 -18uA -3.5 -14uA -12uA -2.5 -10uA -2.0 -8uA -1.5 -6uA -1.0 IB=-2uA -0 -2 -4 -6 -8 COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE BASE-EMITTER SATURATION VOLTAGE VBEsat (mV) —— VCE=-1V -10 10 -12 IC 100 T a= ć -10 COLLECTOR CURRENT IC -500 —— IC -100 (mA) T =2 5ć a T =1 00 ć a COMMON EMITTER VCE=-1V -300 ć 25 T a= =10 -1 -10 -900 -600 —— IC COMMON EMITTER VCE=-6V 10 -1200 -1 -10 -100 COLLECTOR CURRENT VCB/VEB PC 700 COLLECTOR POWER DISSIPATION PC (mW) CAPACITANCE C (pF) -500 (mA) Ta=25ć 50 Cib 10 —— IC 100 BASE-EMMITER VOLTAGE VBE (mV) Cob/Cib -100 400 -10 -0 0ć 10 T a= fT VBE -500 (mA) IC —— COLLECTOR CURRENT -100 -1 IC -100 -10 -500 TRANSITION FREQUENCY fT (MHz) -1 -100 VCEsat -500 =10 -400 -10 COLLECTOR CURRENT 2 5ć T a= -800 -1 VCE (V) COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE VCEsat (V) VBEsat -1200 COLLECTOR CURRENT IC (mA) Ta=25ć 100 -4uA -0.5 -0.0 Ta=100ć -16uA -3.0 IC —— 500 COMMON EMITTER Ta=25ć DC CURRENT GAIN hFE COLLECTOR CURRENT IC (mA) hFE -20uA Cob f=1MHz IE=0/IC=0 —— IC (mA) Ta 600 500 400 300 200 100 Ta=25 ć 1 -0.1 -1 REVERSE VOLTAGE www.cj-elec.com -10 V 0 -20 (V) 0 25 50 75 100 AMBIENT TEMPERATURE  Ta 125 150 (ć ) ),$XJ,201  :9" !" ("$ )(5$ A A1 b c D D1 E e e1 L  h ("$  -(""# ("$  ," - -+ - -+ 3.300 3.700 0.130 0.146 1.100 1.400 0.043 0.055 0.380 0.550 0.015 0.022 0.360 0.510 0.014 0.020 4. 4.700 3.430 0.135 4.300 4.700 0.169 0.185 1.270 TYP 0.050 TYP 2.440 2.640 0.096 0.104 14.100 14.500 0.555 0.571 1.600 0.063 0.000 0.380 0.000 0.015  !99""3 3 )$! ZZZFMHOHFFRP)$XJ  7DSHDQG5HHO ZZZFMHOHFFRP)$XJ
S9012 G(112-166)
物料型号:S9012

器件简介: - S9012是一种PNP型晶体管,与S9013互补。 - 具有出色的hFE线性度。 - 封装类型为TO-92。

引脚分配: - 1. 发射极(Emitter) - 2. 基极(Base) - 3. 集电极(Collector)

参数特性: - 最大额定值(Ta=25℃): - 集电极-基极电压(VcBo):-40V - 集电极-发射极电压(VcEo):-25V - 发射极-基极电压(VEBO):-5V - 集电极电流(Ic):-0.5A - 集电极功耗(Po):625mW - 从结到环境的热阻(ROJA):200℃/W - 结温(T):150℃ - 存储温度(Tstg):-55~+150℃

功能详解: - 电气特性(Ta=25℃,除非另有说明): - 集电极-基极击穿电压(V(BR)CBO):-40V - 集电极-发射极击穿电压(V(BR)CEO):-25V - 发射极-基极击穿电压(V(BR)EBO):-5V - 集电极截止电流(IcBo):-0.1A - 发射极截止电流(ICEO):-0.1uA - 发射极截止电流(IEBO):-0.1uA - 直流电流增益(hFE):64至400 - 集电极-发射极饱和电压(VcE(sat)):-0.6V - 基极-发射极饱和电压(VBE(sat)):-1.2V - 过渡频率(fr):150MHz

应用信息: - 该文档没有明确提供应用信息,但通常PNP型晶体管可用于开关、放大器、逻辑电路等。

封装信息: - TO-92封装的尺寸和建议的焊盘布局。 - TO-92封装胶带和卷轴的尺寸。
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